光刻機(jī)中曝光光源決定了光刻工藝加工器件的線寬等特征尺寸，光刻機(jī)的精度，決定了芯片的上限。因而，采用了最先進(jìn)的極紫外光源的EUV光刻機(jī)，受到了臺(tái)積電、三星的爭(zhēng)搶。
這讓全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的ASML，賺得盆滿缽滿。
2020年業(yè)績(jī)創(chuàng)新高
據(jù)1月20日ASML公布的財(cái)報(bào)顯示，2020年ASML全年銷售額為139.8億歐元，累計(jì)交付光刻系統(tǒng)258臺(tái)。在銷售額、凈利潤等方面，ASML在2020年的成績(jī)，均創(chuàng)下5年來新高。
值得注意的是，ASML的31臺(tái)EUV占據(jù)了系統(tǒng)銷售額的43%。計(jì)算來看，ASML的31臺(tái)EUV光刻機(jī)，便賣出了352億元。
ASML的第一次轉(zhuǎn)折
如今的ASML正意氣風(fēng)發(fā)，不再是當(dāng)初那個(gè)沒錢、沒技術(shù)、沒關(guān)注，連員工都對(duì)未來發(fā)展迷茫的小工廠。
回顧ASML的發(fā)展史，2004年全球首臺(tái)浸潤式光刻機(jī)的問世，成為了ASML發(fā)展歷史中第一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。而這一切，與一位叫林本堅(jiān)的臺(tái)積電工程師有關(guān)。
林本堅(jiān)突發(fā)奇想
當(dāng)時(shí)，光刻機(jī)光源波長(zhǎng)卡在了193nm，制約了芯片精度的向前推進(jìn)。
為了打破這一僵局，當(dāng)時(shí)以尼康為首的半導(dǎo)體巨頭，希望能基于前代技術(shù)，采用157nm的F2激光，實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步。
而EUV LLC聯(lián)盟一派，則希望攻克極紫外技術(shù)，實(shí)現(xiàn)十幾納米的光源。但是極紫外技術(shù)的攻克難度十分大。
這時(shí)，中國專家林本堅(jiān)突發(fā)奇想，可以用水改變光的折射率的原理，來縮短光源的波長(zhǎng)，這樣一來，193nm的激光可以達(dá)到132nm的波長(zhǎng)。
為實(shí)現(xiàn)這一想法，林本堅(jiān)拜訪了多家半導(dǎo)體巨頭，但都被拒絕。畢竟當(dāng)時(shí)正是競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵時(shí)刻，誰也不敢嘗試這種新方法，耽誤自己的研發(fā)進(jìn)度。
而且，這一方法聽起來容易，卻有許多難點(diǎn)需要攻克，譬如，如何解決水污染?
浸潤式光刻機(jī)
不過，本來就沒有什么優(yōu)勢(shì)的ASML聽到這一想法后，倒是想要試一試。于是，ASML與臺(tái)積電一拍即合，開始了研發(fā)。
2004年，全球首臺(tái)浸潤式光刻機(jī)便在ASML手中問世，ASML成功搶在了尼康干式157nm光刻機(jī)的前面。并且，ASML的光刻機(jī)精度更高、性能更強(qiáng)。
由此，IBM、臺(tái)積電等都紛紛向ASML拋出了訂單。由此，ASML開始嶄露頭角，市場(chǎng)份額快速增長(zhǎng)。
此后，ASML又成功打入EUV LLC聯(lián)盟，而尼康則被拒之門外。在一眾科技巨頭的共同努力下，ASML成功研發(fā)出EUV光刻機(jī)，自此奠定了其在光刻機(jī)領(lǐng)域難以撼動(dòng)的地位。
標(biāo)簽： ASML
