10月9日消息，據國外媒體報道，5nm芯片制程工藝已順利量產的臺積電和三星電子，都在全力推進3nm工藝的量產事宜，以便占得先機，進而獲得更多的代工訂單。
而韓國媒體最新的報道顯示，三星電子已確保3nm制程工藝有穩定的良品率，他們計劃在明年6月份開始量產，代工相關的芯片。
從韓國媒體的報道來看，三星電子3nm制程工藝計劃在明年6月份開始量產，是三星電子方面的一名高管，當地時間周三在以在線方式舉行的三星代工論壇上透露的。
三星電子的3nm工藝，并未繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)技術，而是采用全環繞柵極晶體管(GAA)技術。三星方面表示，采用這一工藝代工的芯片，性能較5nm將提升50%，能耗降低50%。
三星電子方面對3nm工藝寄予厚望，多年前就已開始研發事宜。在今年6月底，有外媒在報道中表示，三星電子的3nm工藝已成功流片，距離量產又更近了一步。
目前在推進3nm工藝的另一家，是當前全球最大的芯片代工商臺積電，在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進，計劃今年下半年風險試產，明年大規模量產。
（文章來源：TechWeb）
